IXFP10N60P、IXTA10N60P、IXTI10N60P对比区别

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型号 IXFP10N60P IXTA10N60P IXTI10N60P

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFP10N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 740 mohm, 10 V, 5.5 VTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin(2+Tab) D2PAKTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin(2+Tab) D2PAK

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-262-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A

耗散功率 200 W 200W (Tc) 200W (Tc)

输入电容 1.61 nF 1.61 nF 1.61 nF

栅电荷 32.0 nC 32.0 nC 32.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A 10.0 A

输入电容(Ciss) 1610pF @25V(Vds) 1610pF @25V(Vds) 1610pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 200000 mW 200W (Tc) 200W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.74 Ω - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 5.5 V - -

漏源击穿电压 600 V - -

上升时间 27 ns - -

反向恢复时间 200 ns - -

额定功率(Max) 200 W - -

下降时间 21 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-262-3

长度 10.66 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.15 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -