IXTH500N04T2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
漏源极电阻 1.6 mΩ
耗散功率 1000 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 25000pF @25VVds
下降时间 44 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXTH500N04T2 | IXYS Semiconductor | N沟道 40V 500A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXTH500N04T2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 当前型号 | N沟道 40V 500A | 当前型号 | |
型号: IXTT500N04T2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 N-CH 40V 500A | 功能相似 | TO-268 N-CH 40V 500A | IXTH500N04T2和IXTT500N04T2的区别 |