IXTH500N04T2、IXTT500N04T2对比区别

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型号 IXTH500N04T2 IXTT500N04T2

描述 N沟道 40V 500ATO-268 N-CH 40V 500A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-268-3

引脚数 3 -

漏源极电阻 1.6 mΩ 1.6 mΩ

极性 - N-CH

耗散功率 1000 W 1 kW

阈值电压 3.5 V 3.5 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 500A

上升时间 16 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 25000pF @25V(Vds) 25000pF @25V(Vds)

下降时间 44 ns 44 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1000W (Tc) 1000W (Tc)

长度 16.26 mm 14 mm

宽度 5.3 mm 16.05 mm

高度 21.46 mm 5.1 mm

封装 TO-247-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free