IXFX170N20T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFX170N20T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1150W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 170A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 19600pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFX170N20T引脚图与封装图
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在线购买IXFX170N20T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFX170N20T | IXYS Semiconductor | PLUS N-CH 200V 170A | 搜索库存 |
替代型号IXFX170N20T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFX170N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 200V 170A | 当前型号 | PLUS N-CH 200V 170A | 当前型号 |
| 型号： IXFK170N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 200V 170A | 功能相似 | TO-264 N-CH 200V 170A | IXFX170N20T和IXFK170N20T的区别 |