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IXFK170N20T、IXFX170N20T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK170N20T IXFX170N20T

描述 TO-264 N-CH 200V 170APLUS N-CH 200V 170A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 1150 W 1150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

连续漏极电流(Ids) 170A 170A

上升时间 28 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 19600pF @25V(Vds) 19600pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 22 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1150W (Tc) 1150W (Tc)

阈值电压 5 V -

额定功率(Max) 1150 W -

封装 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free