IXTA50N25T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA50N25T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 60 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 400 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
额定功率Max 400 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA50N25T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTA50N25T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA50N25T | IXYS Semiconductor | TO-263AA N-CH 250V 50A | 搜索库存 |
替代型号IXTA50N25T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA50N25T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 N-CH 250V 50A | 当前型号 | TO-263AA N-CH 250V 50A | 当前型号 |
| 型号： IXTQ50N25T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 250V 50A | 功能相似 | N沟道 250V 50A | IXTA50N25T和IXTQ50N25T的区别 |
| 型号： IXTH50N25T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Mosfet n-Ch 250V 50A To-247 | IXTA50N25T和IXTH50N25T的区别 |