IXTA50N25T、IXTH50N25T、IXTQ50N25T对比区别

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型号 IXTA50N25T IXTH50N25T IXTQ50N25T

描述 TO-263AA N-CH 250V 50AMosfet n-Ch 250V 50A To-247N沟道 250V 50A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-3-3

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 400 W 400W (Tc) 400W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 50A - 50A

上升时间 25 ns - 25 ns

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 400 W - 400 W

下降时间 25 ns - 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 60 mΩ - -

阈值电压 5 V - -

漏源击穿电压 250 V - -

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-3-3

长度 9.65 mm - -

宽度 10.41 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free