IXTT72N20
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTT72N20中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 400W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 4400pF @25VVds
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTT72N20引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTT72N20
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTT72N20 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXTT72N20
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTT72N20 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXTT74N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 200V 74A 3Pin2+Tab TO-268 | IXTT72N20和IXTT74N20P的区别 |
| 型号： IXTH72N20 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3Pin3+Tab TO-247AD | IXTT72N20和IXTH72N20的区别 |
| 型号： IXFH74N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 200V 74A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXTT72N20和IXFH74N20P的区别 |