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IXTH72N20、IXTT72N20、IXTQ74N20P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH72N20 IXTT72N20 IXTQ74N20P

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3Pin(2+Tab) TO-268TO-3P N-CH 200V 74A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-3-3

引脚数 - - 3

耗散功率 400W (Tc) 400W (Tc) 400 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 480W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 34 mΩ

极性 - - N-CH

漏源击穿电压 - - 200 V

连续漏极电流(Ids) - - 74A

上升时间 - - 21 ns

下降时间 - - 21 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-3-3

长度 - - 15.8 mm

宽度 - - 4.9 mm

高度 - - 20.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free