IXTA08N100P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA08N100P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 42W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 0.8A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 240pF @25VVds
下降时间 34 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA08N100P引脚图与封装图
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在线购买IXTA08N100P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA08N100P | IXYS Semiconductor | D2PAK N-CH 1000V 0.8A | 搜索库存 |
替代型号IXTA08N100P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA08N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 N-CH 1000V 0.8A | 当前型号 | D2PAK N-CH 1000V 0.8A | 当前型号 |
| 型号： IXTY08N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 N-CH 1000V 0.8A | 功能相似 | DPAK N-CH 1000V 0.8A | IXTA08N100P和IXTY08N100P的区别 |