IXTA08N100P、IXTY08N100P对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXTA08N100P IXTY08N100P

描述 D2PAK N-CH 1000V 0.8ADPAK N-CH 1000V 0.8A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 42W (Tc) 42 W

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 0.8A 0.8A

上升时间 37 ns 37 ns

输入电容(Ciss) 240pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds)

下降时间 34 ns 34 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 42W (Tc) 42W (Tc)

额定功率(Max) - 42 W

封装 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free