IXFT52N30Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
额定电压DC 300 V
额定电流 52.0 A
漏源极电阻 60.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 52.0 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 5300pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFT52N30Q | IXYS Semiconductor | TO-268 N-CH 300V 52A | 搜索库存 |