IXTT110N10L2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTT110N10L2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 600 W
输入电容 10.5 nF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 10500pF @25VVds
额定功率Max 600 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTT110N10L2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTT110N10L2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTT110N10L2 | IXYS Semiconductor | N沟道 100V 110A | 搜索库存 |
替代型号IXTT110N10L2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTT110N10L2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 100V 110A | 当前型号 | N沟道 100V 110A | 当前型号 |
| 型号： IXTH110N10L2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 100V 110A | 完全替代 | TO-247 N-CH 100V 110A | IXTT110N10L2和IXTH110N10L2的区别 |