IXTH110N10L2、IXTT110N10L2对比区别

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型号 IXTH110N10L2 IXTT110N10L2

描述 TO-247 N-CH 100V 110AN沟道 100V 110A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 600 W 600 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 110A 110A

输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 10500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 600 W 600 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc)

输入电容 - 10.5 nF

上升时间 - 130 ns

下降时间 - 24 ns

高度 21.46 mm -

封装 TO-247-3 TO-268-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)