IXTQ86N20T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ86N20T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ86N20T引脚图与封装图
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在线购买IXTQ86N20T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ86N20T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3Pin3+Tab TO-3P | 搜索库存 |
替代型号IXTQ86N20T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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