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IXTP86N20T、IXTQ86N20T、IXFT80N20Q对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP86N20T IXTQ86N20T IXFT80N20Q

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3Pin(3+Tab) TO-3PTrans MOSFET N-CH 200V 80A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-268-3

引脚数 3 - -

耗散功率 480W (Tc) 480W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 360W (Tc)

上升时间 24 ns - -

下降时间 29 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free