IXFK32N100P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK32N100P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 320 mΩ
耗散功率 960 W
阈值电压 6.5 V
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 14200pF @25VVds
下降时间 43 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 960W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK32N100P引脚图与封装图
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在线购买IXFK32N100P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK32N100P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 32A 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |
替代型号IXFK32N100P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK32N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 32A 3Pin3+Tab TO-264 | 当前型号 |
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| 型号： IXFK32N90P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 900V 32A | 类似代替 | TO-264AA N-CH 900V 32A | IXFK32N100P和IXFK32N90P的区别 |
| 型号： IXFX32N90P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 900V 32A | 功能相似 | PLUS N-CH 900V 32A | IXFK32N100P和IXFX32N90P的区别 |