IXFK32N100P、IXFK32N100Q3、IXFX32N100P对比区别

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型号 IXFK32N100P IXFK32N100Q3 IXFX32N100P

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 32A 3Pin(3+Tab) TO-264N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度Trans MOSFET N-CH 1kV 32A 3Pin(3+Tab) PLUS 247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 320 mΩ 320 mΩ -

极性 - N-CH -

耗散功率 960 W 1250 W 960W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 1000 V 1000 V -

连续漏极电流(Ids) - 32A -

上升时间 55 ns 15 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 14200pF @25V(Vds) 9940pF @25V(Vds) 14200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1250 W -

下降时间 43 ns 12 ns 43 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 960W (Tc) 1250W (Tc) 960W (Tc)

阈值电压 6.5 V - 6.5 V

长度 19.96 mm 19.96 mm -

宽度 5.13 mm 5.13 mm 5.21 mm

高度 26.16 mm 26.16 mm -

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free