IXTH20N60
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH20N60中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 20.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
输入电容 4.50 nF
栅电荷 170 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH20N60引脚图与封装图
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在线购买IXTH20N60
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH20N60 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXTH20N60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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