IXTA3N120TRL
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA3N120TRL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200W Tc
输入电容 1.35 nF
栅电荷 42.0 nC
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
额定功率Max 200 W
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA3N120TRL引脚图与封装图
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在线购买IXTA3N120TRL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA3N120TRL | IXYS Semiconductor | IXTA Series Single N-Channel 1200V 4.5Ω 200W Power Mosfet - TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA3N120TRL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA3N120TRL 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 1.2kV 3A 1.35nF | 当前型号 | IXTA Series Single N-Channel 1200V 4.5Ω 200W Power Mosfet - TO-263 | 当前型号 |
| 型号： IXTA3N120 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 1.2kV 3A | 类似代替 | 表面贴装型 N 通道 1200V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA） | IXTA3N120TRL和IXTA3N120的区别 |