IXTA3N120、IXTA3N120TRL、IXTA3N110对比区别

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型号 IXTA3N120 IXTA3N120TRL IXTA3N110

描述 表面贴装型 N 通道 1200V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）IXTA Series Single N-Channel 1200V 4.5Ω 200W Power Mosfet - TO-263D2PAK N-CH 1100V 3A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 200 W 200W (Tc) 150 W

输入电容 - 1.35 nF -

栅电荷 - 42.0 nC -

漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1100 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A 3A

输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 200 W -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 150W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源极电阻 - - 4 Ω

极性 - - N-CH

漏源击穿电压 - - 1100 V

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 18 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

额定电压(DC) 1.20 kV - -

额定电流 3.00 A - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 9.9 mm

宽度 9.65 mm - 9.2 mm

高度 - - 4.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free