通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 600W Tc
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 6300pF @25VVds
耗散功率Max 600W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
宽度 5.31 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXTK100N25P | IXYS Semiconductor | N沟道 250V 100A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXTK100N25P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-264 N-CH 250V 100A | 当前型号 | N沟道 250V 100A | 当前型号 | |
型号: IXFH100N25P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 类似代替 | N沟道 250V 100A | IXTK100N25P和IXFH100N25P的区别 | |
型号: IXTQ100N25P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO N-Channel 100A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ100N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 V | IXTK100N25P和IXTQ100N25P的区别 | |
型号: IXTT100N25P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 | 功能相似 | IXTT 系列 单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268 | IXTK100N25P和IXTT100N25P的区别 |