IXTK100N25P、IXTT100N25P、IXTH96N25T对比区别

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型号 IXTK100N25P IXTT100N25P IXTH96N25T

描述 N沟道 250V 100AIXTT 系列 单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268TO-247 N-CH 250V 96A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-264-3 TO-268-3 TO-247-3

耗散功率 600W (Tc) 600 W 625W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

上升时间 - 26 ns -

输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6100pF @25V(Vds)

下降时间 - 28 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 625W (Tc)

通道数 1 - -

极性 N-CH - N-CH

连续漏极电流(Ids) 100A - 96A

封装 TO-264-3 TO-268-3 TO-247-3

宽度 5.31 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free