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IXTK200N10L2

IXTK200N10L2

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264

通孔 N 通道 100 V 200A(Tc) 1040W(Tc) TO-264(IXTK)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A TO264


立创商城:
N沟道 100V 200A


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the IXTK200N10L2 power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 1040000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 200A Automotive 3-Pin3+Tab TO-264


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 200A TO264 / N-Channel 100 V 200A Tc 1040W Tc Through Hole TO-264 IXTK


IXTK200N10L2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1040 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 225 ns

输入电容Ciss 23000pF @25VVds

额定功率Max 1040 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1040W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTK200N10L2引脚图与封装图
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在线购买IXTK200N10L2
型号 制造商 描述 购买
IXTK200N10L2 IXYS Semiconductor IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264 搜索库存
替代型号IXTK200N10L2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTK200N10L2

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-264-3 N-CH 100V 200A

当前型号

IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264

当前型号

型号: IXTK180N15P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-264-3 N-Channel 180A

类似代替

IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK180N15P  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 V

IXTK200N10L2和IXTK180N15P的区别

型号: IXTX200N10L2

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-CH 100V 200A

功能相似

ISOPLUS N-CH 100V 200A

IXTK200N10L2和IXTX200N10L2的区别