
极性 N-CH
耗散功率 890 W
漏源极电压Vds 1500 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 3720pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 890W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXTH12N150 | IXYS Semiconductor | N沟道 1.5kV 12A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXTH12N150 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 1500V 12A | 当前型号 | N沟道 1.5kV 12A | 当前型号 | |
型号: IXTT12N150 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 N-CH 1500V 12A | 完全替代 | TO-268AA N-CH 1500V 12A | IXTH12N150和IXTT12N150的区别 | |
型号: IXTT12N140 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268AA N-CH 1400V 12A | 功能相似 | TO-268AA N-CH 1400V 12A | IXTH12N150和IXTT12N140的区别 | |
型号: IXTT12N150HV 品牌: IXYS Semiconductor 封装: | 功能相似 | N沟道 1.5kV 12A | IXTH12N150和IXTT12N150HV的区别 |