IXTH12N150、IXTT12N150HV、IXTT12N140对比区别

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型号 IXTH12N150 IXTT12N150HV IXTT12N140

描述 N沟道 1.5kV 12AN沟道 1.5kV 12ATO-268AA N-CH 1400V 12A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-3

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 890 W 890W (Tc) 890W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1500 V 1500 V 1400 V

连续漏极电流(Ids) 12A - 12A

上升时间 16 ns - -

输入电容(Ciss) 3720pF @25V(Vds) 3720pF @25V(Vds) 3720pF @25V(Vds)

下降时间 14 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 890W (Tc) 890W (Tc) 890W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free