IXTA26P10T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA26P10T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 3820pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA26P10T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTA26P10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA26P10T | IXYS Semiconductor | Mosfet p-Ch 100V 26A To-263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA26P10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA26P10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263AA-3 | 当前型号 | Mosfet p-Ch 100V 26A To-263 | 当前型号 |
| 型号： IXTY26P10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 P-CH 100V 26A | 功能相似 | DPAK P-CH 100V 26A | IXTA26P10T和IXTY26P10T的区别 |
| 型号： IXTP26P10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 P-CH 100V 26A | 功能相似 | TO-220AB P-CH 100V 26A | IXTA26P10T和IXTP26P10T的区别 |