IXTA26P10T、IXTY26P10T、IXTP26P10T对比区别

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型号 IXTA26P10T IXTY26P10T IXTP26P10T

描述 Mosfet p-Ch 100V 26A To-263DPAK P-CH 100V 26ATO-220AB P-CH 100V 26A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3

耗散功率 150W (Tc) 150 W 150 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 15 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 3820pF @25V(Vds) 3820pF @25V(Vds) 3820pF @25V(Vds)

下降时间 11 ns 11 ns 1 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

极性 - P-CH P-CH

连续漏极电流(Ids) - 26A 26A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 90 mΩ

阈值电压 - - 4.5 V

漏源击穿电压 - - 100 V

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free