IXTY1R6N50D2

IXYS Semiconductor 分立器件

IXTY1R6N50D2 管装

N-Channel 500V 1.6A Tc 100W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

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MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252

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Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin2+Tab TO-252AA

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Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin2+Tab DPAK

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MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

IXTY1R6N50D2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 645pF @25VVds

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTY1R6N50D2引脚图与封装图

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