额定电压DC 600 V
额定电流 7.00 A
耗散功率 150W Tc
输入电容 1.08 nF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1080pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTP7N60P | IXYS Semiconductor | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTP7N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220 600V 7A 1.08nF | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 当前型号 | |
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