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IXTA7N60P、IXTP7N60P、NTE2379对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA7N60P IXTP7N60P NTE2379

描述 N-Channel 600V 7A 1.1Ω Surface Mount PolarHV Power Mosfet - TO-263N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备NTE ELECTRONICS  NTE2379  芯片, 高速开关, MOSFET, N沟道 6.2A, TO220-3

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor NTE Electronics

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 7.00 A 7.00 A -

耗散功率 150 W 150W (Tc) 125 W

输入电容 1.08 nF 1.08 nF -

栅电荷 20.0 nC 20.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A 6.2A

上升时间 27 ns 27 ns 18.0 ns

输入电容(Ciss) - 1080pF @25V(Vds) -

下降时间 26 ns 26 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 150W (Tc) -

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

正向电压 - - 1.50 V

漏源极电阻 - - 1.2 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 600 V

长度 9.9 mm 10.66 mm -

宽度 9.2 mm 4.83 mm -

高度 4.5 mm 9.15 mm -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 - - 85412900951