IXTH10N100D2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH10N100D2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-CH
耗散功率 695 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 5320pF @25VVds
下降时间 164 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 695W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH10N100D2引脚图与封装图
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在线购买IXTH10N100D2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH10N100D2 | IXYS Semiconductor | N-CH 1000V 10A | 搜索库存 |
替代型号IXTH10N100D2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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