IXFH10N100P、IXTH10N100D2、IXTT10N100D对比区别
型号 IXFH10N100P IXTH10N100D2 IXTT10N100D
描述 TO-247 N-CH 1000V 10AN-CH 1000V 10AMosfet n-Ch 1000V 10A To-268
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3
引脚数 3 - -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 1.5 Ω -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 380 W 695 W 400W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
漏源击穿电压 - 1000 V -
连续漏极电流(Ids) 10A 10A -
上升时间 45 ns 36 ns -
输入电容(Ciss) 3030pF @25V(Vds) 5320pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
下降时间 75 ns 164 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 380W (Tc) 695W (Tc) 400W (Tc)
阈值电压 6.5 V - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free