IXTA160N10T7
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA160N10T7中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
耗散功率 430 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 42 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 430W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-7
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-7
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA160N10T7引脚图与封装图
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在线购买IXTA160N10T7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA160N10T7 | IXYS Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 | 搜索库存 |
替代型号IXTA160N10T7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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