IXTA160N10T7、IXTQ160N10T、IXTP160N10T对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXTA160N10T7 IXTQ160N10T IXTP160N10T

描述 MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7TO-3P N-CH 100V 160AN沟道 100V 160A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-7 TO-3-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 430 W 430W (Tc) 430 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 160A 160A

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源极电阻 7 mΩ - 7 mΩ

漏源击穿电压 100 V - 100 V

上升时间 61 ns - 61 ns

下降时间 42 ns - 42 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

额定功率(Max) - - 430 W

封装 TO-263-7 TO-3-3 TO-220-3

长度 10.2 mm - 10.66 mm

宽度 9.4 mm - 4.83 mm

高度 4.7 mm - 9.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free