IXFL38N100P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFL38N100P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 520W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 24000pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFL38N100P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFL38N100P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFL38N100P | IXYS Semiconductor | ISOPLUS N-CH 1000V 29A | 搜索库存 |
替代型号IXFL38N100P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFL38N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 1000V 29A | 当前型号 | ISOPLUS N-CH 1000V 29A | 当前型号 |
| 型号： IXFL38N100Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS264 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 29A 3Pin3+Tab ISOPLUS 264 | IXFL38N100P和IXFL38N100Q2的区别 |