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IXFL38N100P、IXFL38N100Q2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFL38N100P IXFL38N100Q2

描述 ISOPLUS N-CH 1000V 29ATrans MOSFET N-CH 1kV 29A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 264

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3

通道数 - 1

漏源极电阻 - 280 mΩ

耗散功率 520W (Tc) 380 W

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 - 1000 V

上升时间 55 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 24000pF @25V(Vds) 13500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 520 W 380 W

下降时间 40 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 380W (Tc)

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 29A -

长度 - 20.29 mm

宽度 - 5.21 mm

高度 - 26.42 mm

封装 TO-264-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free