IXFT88N30P

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-268 N-CH 300V 88A

表面贴装型 N 通道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-268AA

得捷:
MOSFET N-CH 300V 88A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin2+Tab TO-268

Win Source:
MOSFET N-CH 300V 88A TO268 / N-Channel 300 V 88A Tc 600W Tc Surface Mount TO-268AA

IXFT88N30P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 600W Tc

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 88A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 6300pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-2

外形尺寸

宽度 14 mm

封装 TO-268-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFT88N30P引脚图与封装图

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替代型号IXFT88N30P

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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