IXFT88N30P、IXTK88N30P、IXTQ88N30P对比区别

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型号 IXFT88N30P IXTK88N30P IXTQ88N30P

描述 TO-268 N-CH 300V 88ATrans MOSFET N-CH 300V 88A 3Pin(3+Tab) TO-264IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ88N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-268-2 TO-264-3 TO-3-3

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 600W (Tc) 600W (Tc) 600 W

阈值电压 5 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 88A - 88.0 A

上升时间 24 ns - 24 ns

输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)

下降时间 25 ns - 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.04 Ω

反向恢复时间 - - 250 ns

额定功率(Max) - - 600 W

宽度 14 mm - -

封装 TO-268-2 TO-264-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16