IXFH150N17T2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH150N17T2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 12 mΩ
耗散功率 880 W
阈值电压 2.5V ~ 4.5V
漏源极电压Vds 175 V
漏源击穿电压 175 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 14600pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 880W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH150N17T2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFH150N17T2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH150N17T2 | IXYS Semiconductor | N沟道 175V 150A | 搜索库存 |
替代型号IXFH150N17T2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH150N17T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | N沟道 175V 150A | 当前型号 |
| 型号： IXTH150N17T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-CH 175V 150A | 类似代替 | TO-247 N-CH 175V 150A | IXFH150N17T2和IXTH150N17T的区别 |
| 型号： IXFH150N17T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-CH 175V 150A | 类似代替 | TO-247 N-CH 175V 150A | IXFH150N17T2和IXFH150N17T的区别 |