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IXFA12N50P

IXFA12N50P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 500V 12A

表面贴装型 N 通道 500 V 12A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXFA)


得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO263


立创商城:
N沟道 500V 12A


贸泽:
MOSFET 500V 12A


艾睿:
Thanks to Ixys Corporation, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the IXFA12N50P power MOSFET. Its maximum power dissipation is 200000 mW. This device utilizes hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK


IXFA12N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 12.0 A

通道数 1

漏源极电阻 500 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 5.5 V

输入电容 1.69 nF

栅电荷 29.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1830pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 16 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFA12N50P引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXFA12N50P IXYS Semiconductor N沟道 500V 12A 搜索库存
替代型号IXFA12N50P
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型号: IXFA12N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-263 N-Channel 500V 12A 500mΩ 1.69nF

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