
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 3.00 A
通道数 1
耗散功率 200 W
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
额定功率Max 200 W
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
宽度 9.65 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXTA3N120 | IXYS Semiconductor | 表面贴装型 N 通道 1200V 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA) | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXTA3N120 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-252-3 1.2kV 3A | 当前型号 | 表面贴装型 N 通道 1200V 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA) | 当前型号 | |
型号: IXTA3N110 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-252-3 N-CH 1100V 3A | 类似代替 | D2PAK N-CH 1100V 3A | IXTA3N120和IXTA3N110的区别 | |
型号: IXTA3N120TRL 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263-3 1.2kV 3A 1.35nF | 类似代替 | IXTA Series Single N-Channel 1200V 4.5Ω 200W Power Mosfet - TO-263 | IXTA3N120和IXTA3N120TRL的区别 |