额定电压DC 500 V
额定电流 36.0 A
通道数 1
漏源极电阻 170 mΩ
耗散功率 540 W
阈值电压 5 V
输入电容 5.50 nF
栅电荷 85.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 5500pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 540W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTQ36N50P | IXYS Semiconductor | N沟道 500V 36A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTQ36N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 500V 36A 5.5nF | 当前型号 | N沟道 500V 36A | 当前型号 | |
型号: STW20NK50Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IXTQ36N50P和STW20NK50Z的区别 | |
型号: FQA24N60 品牌: 安森美 封装: TO-3P-3 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装 | IXTQ36N50P和FQA24N60的区别 |