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IXTQ36N50P

IXTQ36N50P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 500V 36A

N-Channel 500V 36A Tc 540W Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 500V 36A TO3P


立创商城:
N沟道 500V 36A


贸泽:
MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Ixys Corporation&s;s IXTQ36N50P power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 540000 mW. This device utilizes polarhv technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin3+Tab TO-3P


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P


IXTQ36N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 36.0 A

通道数 1

漏源极电阻 170 mΩ

耗散功率 540 W

阈值电压 5 V

输入电容 5.50 nF

栅电荷 85.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 5500pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 540W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 4.9 mm

高度 20.3 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTQ36N50P引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXTQ36N50P IXYS Semiconductor N沟道 500V 36A 搜索库存
替代型号IXTQ36N50P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTQ36N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-3P-3 500V 36A 5.5nF

当前型号

N沟道 500V 36A

当前型号

型号: STW20NK50Z

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ

功能相似

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IXTQ36N50P和STW20NK50Z的区别

型号: FQA24N60

品牌: 安森美

封装: TO-3P-3

功能相似

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装

IXTQ36N50P和FQA24N60的区别