FQA24N60、IXTQ36N50P、STP5NK50Z对比区别

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型号 FQA24N60 IXTQ36N50P STP5NK50Z

描述 ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装N沟道 500V 36AN沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 36.0 A 4.40 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.24 Ω 170 mΩ 1.22 Ω

耗散功率 310 W 540 W 70 W

阈值电压 5 V 5 V 3.75 V

输入电容 - 5.50 nF -

栅电荷 - 85.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 36.0 A 4.40 A

上升时间 270 ns 27 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds)

下降时间 170 ns 21 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310 W 540W (Tc) 70W (Tc)

额定功率 - - 70 W

极性 - - N-Channel

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

额定功率(Max) 310 W - 70 W

针脚数 3 - -

长度 15.8 mm 15.8 mm -

宽度 5 mm 4.9 mm -

高度 18.9 mm 20.3 mm -

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99