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IXTH20P50P

IXTH20P50P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

P沟道 500V 20A

通孔 P 通道 500 V 20A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)


得捷:
MOSFET P-CH 500V 20A TO247


立创商城:
P沟道 500V 20A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
MOSFET P-CH 500V 20A TO-247


IXTH20P50P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 460W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 5120pF @25VVds

额定功率Max 460 W

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTH20P50P引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXTH20P50P IXYS Semiconductor P沟道 500V 20A 搜索库存
替代型号IXTH20P50P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTH20P50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

当前型号

P沟道 500V 20A

当前型号

型号: IXTT20P50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-2 P-CH 500V 20A

功能相似

表面贴装型 P 通道 500V 20A(Tc) 460W(Tc) TO-268

IXTH20P50P和IXTT20P50P的区别