IXTH20P50P、IXTT20P50P对比区别

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型号 IXTH20P50P IXTT20P50P

描述 P沟道 500V 20A表面贴装型 P 通道 500V 20A（Tc） 460W（Tc） TO-268

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-268-3

引脚数 - 3

耗散功率 460W (Tc) 460 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

输入电容(Ciss) 5120pF @25V(Vds) 5120pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 W -

耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc)

通道数 - 1

漏源极电阻 - 450 mΩ

极性 - P-CH

阈值电压 - 4 V

漏源击穿电压 - 500 V

连续漏极电流(Ids) - 20A

上升时间 - 32 ns

下降时间 - 34 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

封装 TO-247-3 TO-268-3

长度 - 14 mm

宽度 - 16.05 mm

高度 - 5.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free