IXFH60N25Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH60N25Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 250 V
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH60N25Q引脚图与封装图
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在线购买IXFH60N25Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH60N25Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXFH60N25Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH60N25Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXFK60N25Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 250V 60A | 功能相似 | TO-264AA N-CH 250V 60A | IXFH60N25Q和IXFK60N25Q的区别 |
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| 型号： IXTQ64N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO N-CH 250V 64A | 功能相似 | TO-3P N-CH 250V 64A | IXFH60N25Q和IXTQ64N25P的区别 |