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IXFH60N25Q、IXTQ64N25P、IXTK62N25对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH60N25Q IXTQ64N25P IXTK62N25

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTO-3P N-CH 250V 64ATrans MOSFET N-CH 250V 62A 3Pin(3+Tab) TO-264

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-264-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 64.0 A -

极性 - N-CH -

耗散功率 360W (Tc) 400W (Tc) 390 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) - 64.0 A -

上升时间 60 ns 23.0 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 400W (Tc) 390W (Tc)

下降时间 25 ns - 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 35 mΩ

漏源击穿电压 - - 250 V

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-264-3

长度 - - 19.96 mm

宽度 - - 5.13 mm

高度 - - 26.16 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Last Time Buy Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube, Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free