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IXTT90P10P

IXTT90P10P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

P沟道 100V 90A

表面贴装型 P 通道 100 V 90A(Tc) 462W(Tc) TO-268AA


得捷:
MOSFET P-CH 100V 90A TO268


立创商城:
P沟道 100V 90A


贸泽:
MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds


艾睿:
Compared to traditional transistors, IXTT90P10P power MOSFETs, developed by Ixys Corporation, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 462000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab TO-268


DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268


IXTT90P10P中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 25 mΩ

耗散功率 462 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 77 ns

输入电容Ciss 5800pF @25VVds

额定功率Max 462 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 462W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTT90P10P引脚图与封装图
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在线购买IXTT90P10P
型号 制造商 描述 购买
IXTT90P10P IXYS Semiconductor P沟道 100V 90A 搜索库存
替代型号IXTT90P10P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTT90P10P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-2

当前型号

P沟道 100V 90A

当前型号

型号: IXTH90P10P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

完全替代

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3Pin3+Tab TO-247

IXTT90P10P和IXTH90P10P的区别