IXTH90P10P、IXTT90P10P对比区别

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型号 IXTH90P10P IXTT90P10P

描述 Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3Pin(3+Tab) TO-247P沟道 100V 90A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3

通道数 1 -

耗散功率 462 W 462 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

上升时间 77 ns 77 ns

输入电容(Ciss) 5800pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 462 W 462 W

下降时间 32 ns 32 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 462W (Tc) 462W (Tc)

漏源极电阻 - 25 mΩ

漏源击穿电压 - 100 V

封装 TO-247-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free